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型号 IPD60R385CP
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
IPD60R385CP PDF
代理商 IPD60R385CP
标准包装 2,500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 385 毫欧 @ 5.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 340µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 790pF @ 100V
功率 - 最大 83W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPD60R385CP-ND
IPD60R385CPINTR
IPD60R385CPXT
SP000062533
SP000307381
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